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課程名稱 |
半導體製程概論
Introduction to Semiconductor Processing |
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開課學期 |
103-1 |
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授課對象 |
學程 奈米科技學程 |
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授課教師 |
徐振哲 |
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課號 |
ChemE5004 |
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課程識別碼 |
524 U0280 |
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班次 |
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學分 |
3 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期一7,8,9(14:20~17:20) |
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上課地點 |
共105 |
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備註 |
化工選修課程。
總人數上限：60人 |
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Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/1031ChemE5004_ |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
說明半導體元件基礎物理性質與運作原理，簡介積體電路製程內容 |
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課程目標 |
1. 熟悉半導體基礎物理性質
2. 初步瞭解半導體元件運作原理
3. 熟悉積體電路製程單元內容
4. 運用輸送現象, 化工動力與熱力學於積體電路製程單元之分析
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課程要求 |
先修科目或先備能力：輸送現象 |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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指定閱讀 |
TBD |
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參考書目 |
教科書1 半導體製程技術導論，Hong Xiao著，羅正忠、張鼎張譯，台灣培生教育出版股份有限公司
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評量方式
(僅供參考) |
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No. |
項目 |
百分比 |
說明 |
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1. |
作業 |
40% |
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2. |
期中考 |
30% |
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3. |
期末考 |
30% |
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週次 |
日期 |
單元主題 |
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第1週 |
9/15/2014 |
Introduction |
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第2週 |
9/22/2014 |
Semiconductor Physics |
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第3週 |
9/29/2014 |
Semiconductor Physics |
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第7週 |
10/27 |
Semiconductor Physics Part III |
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第8週 |
11/3 |
Midterm |
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第10週 |
11/17 |
Ch. 4 Si Crystal Growth;
Ch. 5 Diffusion and Oxidation |
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第11週 |
11/24 |
Ch. 6 Lithography |
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第12週 |
12/1 |
Ch. 8 Ion Implantation |
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第13週 |
12/8 |
Ch. 7 and 9 Plasma Processes |
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第14週 |
12/15 |
Plasma |
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第16週 |
12/29 |
Ch 10 Dielectric and Ch. 11 Metallization |
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第17週 |
1/5 |
Ch. 12 CMP and Special Lecture |
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第18週 |
1/12/2015 |
Final Exam |
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